Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IPB085N06L G
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB085N06L G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 80A (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12803962
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPB085N06L G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 125µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3500 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB085N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IPB085N06L G
HTML-Datenblatt
IPB085N06L G-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB085N06LGINTR
IPB085N06LGINCT
IPB085N06LGXT
IPB085N06LGINDKR
SP000204190
IPB085N06L G-DG
IPB085N06LG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB75NF75LT4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
990
TEILNUMMER
STB75NF75LT4-DG
Einheitspreis
1.13
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFR8314TRPBF
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
IPP65R660CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
IPI80N06S407AKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
IRF7413Z
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO